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JANTX1N3295

JANTX1N3295

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX1N3295
PNEDA Teilenummer JANTX1N3295
Beschreibung DIODE GP 1KV 100A DO205AA
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.534
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTX1N3295 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX1N3295
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JANTX1N3295 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/246
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.55V @ 310A
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10mA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-205AA, DO-8, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AA (DO-8)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 200°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

IRD3CH11DB6

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.7V @ 25A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

190ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700nA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

1N6840U3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SF4005-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

ES 1V0

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

700mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 800mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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