JANS1N6638
Nur als Referenz
| Teilenummer | JANS1N6638 |
| PNEDA Teilenummer | JANS1N6638 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.700 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANS1N6638 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANS1N6638 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANS1N6638 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 125V |
| Current - Average Rectified (Io) | 300mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4.5ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 125V |
| Kapazität @ Vr, F. | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 40V Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 41A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 20A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 67µA @ 420V Kapazität @ Vr, F. 970pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket PG-TO220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 45A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.16V @ 45A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
