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JAN2N7370

JAN2N7370

Nur als Referenz

Teilenummer JAN2N7370
PNEDA Teilenummer JAN2N7370
Beschreibung TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.258
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JAN2N7370 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN2N7370
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JAN2N7370 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/624
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)100V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3V @ 120mA, 12A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 6A, 3V
Leistung - max100W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
LieferantengerätepaketTO-254AA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2.5A, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10A, 4V

Leistung - max

250W

Frequenz - Übergang

8MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AE

Lieferantengerätepaket

TO-3

2SD1815T-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

TP

BC807-25T116

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2N3053

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 150mA, 10V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 5V

Leistung - max

830mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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