JAN2N6798
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Teilenummer | JAN2N6798 |
PNEDA Teilenummer | JAN2N6798 |
Beschreibung | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.604 |
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JAN2N6798 Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | JAN2N6798 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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JAN2N6798 Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-39 |
Paket / Fall | TO-205AF Metal Can |
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