JAN2N5666
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| Teilenummer | JAN2N5666 |
| PNEDA Teilenummer | JAN2N5666 |
| Beschreibung | TRANS NPN 200V 5A TO5 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JAN2N5666 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN2N5666 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JAN2N5666 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 200V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
| Leistung - max | 1.2W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-5 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
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