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JAN2N4399

JAN2N4399

Nur als Referenz

Teilenummer JAN2N4399
PNEDA Teilenummer JAN2N4399
Beschreibung TRANS PNP 60V 30A TO-3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.444
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JAN2N4399 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN2N4399
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JAN2N4399 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/433
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic750mV @ 1A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 15A, 2V
Leistung - max5W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-204AA, TO-3
LieferantengerätepaketTO-3 (TO-204AA)

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN + Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 125mA, 4.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

MMBT4401LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

2SA2119KT146

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 10mA, 2V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

260MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

2SD1858TV2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

3-SIP

Lieferantengerätepaket

ATV

MMBT2222AT-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

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