JAN2N3636UB
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| Teilenummer | JAN2N3636UB |
| PNEDA Teilenummer | JAN2N3636UB |
| Beschreibung | TRANS PNP 175V 1A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.258 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JAN2N3636UB Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN2N3636UB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JAN2N3636UB Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 175V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 3-SMD |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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