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JAN2N3439L

JAN2N3439L

Nur als Referenz

Teilenummer JAN2N3439L
PNEDA Teilenummer JAN2N3439L
Beschreibung TRANS NPN 350V 1A
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.592
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JAN2N3439L Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN2N3439L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JAN2N3439L Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/368
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)350V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 4mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Leistung - max800mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-5

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

ZTX455

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

KSD227YTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

KSA614YTSTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 5V

Leistung - max

25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-220-3

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