JAN1N6642
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Teilenummer | JAN1N6642 |
PNEDA Teilenummer | JAN1N6642 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.510 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JAN1N6642 Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | JAN1N6642 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JAN1N6642 Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/578 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Current - Average Rectified (Io) | 300mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F. | 5pF @ 0V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | D, Axial |
Lieferantengerätepaket | - |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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