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JAN1N6081

JAN1N6081

Nur als Referenz

Teilenummer JAN1N6081
PNEDA Teilenummer JAN1N6081
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.426
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JAN1N6081 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN1N6081
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JAN1N6081 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/503
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)150V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 37.7A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallG, Axial
LieferantengerätepaketG, Axial
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 155°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

24ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220-2 Full Pack

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123H

Lieferantengerätepaket

SOD-123HE

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SK13TR

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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