JAN1N5809US
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Teilenummer | JAN1N5809US |
PNEDA Teilenummer | JAN1N5809US |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.610 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JAN1N5809US Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | JAN1N5809US |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JAN1N5809US Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | 60pF @ 10V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SQ-MELF, B |
Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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