JAN1N5550
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Teilenummer | JAN1N5550 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | JAN1N5550 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | ||||||||||||||||||
Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 521 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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JAN1N5550 Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | JAN1N5550 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JAN1N5550 Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | B, Axial |
Lieferantengerätepaket | - |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 350µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
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