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JAN1N4247

JAN1N4247

Nur als Referenz

Teilenummer JAN1N4247
PNEDA Teilenummer JAN1N4247
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $64,6639
50 ---------- $61,6328
100 ---------- $58,6017
200 ---------- $55,5706
400 ---------- $53,0446
500 ---------- $50,5187
Auf Lager 10.182
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JAN1N4247 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN1N4247
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JAN1N4247 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/286
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)5µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallA, Axial
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.33V @ 471A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

35mA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

B-42

Lieferantengerätepaket

B-42

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 200°C

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

41A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 23A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RB441Q-40T-72

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

6pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AG, DO-34, Axial

Lieferantengerätepaket

MSD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

VF20100S-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

MPG06BHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

600ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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