JAN1N3910
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| Teilenummer | JAN1N3910 |
| PNEDA Teilenummer | JAN1N3910 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.304 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JAN1N3910 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN1N3910 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JAN1N3910 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/308 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 50A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 50A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.28V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 250mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.4V @ 200mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 300ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket ITO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.2V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 60µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/586 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF (Glass) Lieferantengerätepaket DO-213AB (MELF, LL41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
