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IXZ318N50

IXZ318N50

Nur als Referenz

Teilenummer IXZ318N50
PNEDA Teilenummer IXZ318N50
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXZ318N50 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZ318N50
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZ318N50, IXZ318N50 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 137,7 KB)
PDFIXZ318N50 Datenblatt Cover
IXZ318N50 Datenblatt Seite 2 IXZ318N50 Datenblatt Seite 3 IXZ318N50 Datenblatt Seite 4

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IXZ318N50 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz65MHz
Gewinn23dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)19A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung880W
Spannung - Nennspannung500V
Paket / Fall6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketDE375

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Spannungstest

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Leistung - Leistung

220W

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.4GHz ~ 2.5GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

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Serie

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Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

3GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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