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IXZ318N50

IXZ318N50

Nur als Referenz

Teilenummer IXZ318N50
PNEDA Teilenummer IXZ318N50
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXZ318N50 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZ318N50
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZ318N50, IXZ318N50 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 137,7 KB)
PDFIXZ318N50 Datenblatt Cover
IXZ318N50 Datenblatt Seite 2 IXZ318N50 Datenblatt Seite 3 IXZ318N50 Datenblatt Seite 4

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IXZ318N50 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz65MHz
Gewinn23dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)19A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung880W
Spannung - Nennspannung500V
Paket / Fall6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketDE375

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

300W

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-

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NI-780S

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NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

15.2dB

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NI-1230S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

Stromtest

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Leistung - Leistung

35W

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66V

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SOT-957A

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

ATF-53189-TR1

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

900MHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

300mA

Rauschzahl

0.8dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

21.7dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

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