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IXZ308N120

IXZ308N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXZ308N120
PNEDA Teilenummer IXZ308N120
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL DE375
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 7.380
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXZ308N120 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZ308N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZ308N120, IXZ308N120 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 146,84 KB)
PDFIXZ308N120 Datenblatt Cover
IXZ308N120 Datenblatt Seite 2 IXZ308N120 Datenblatt Seite 3

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IXZ308N120 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz65MHz
Gewinn23dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)8A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung880W
Spannung - Nennspannung1200V
Paket / Fall6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketDE375

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

20GHz

Gewinn

11.9dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

1.05dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

18dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT-1258-7

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

940MHz

Gewinn

19.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

58W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

20GHz

Gewinn

11.9dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

1.05dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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