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IXZ308N120

IXZ308N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXZ308N120
PNEDA Teilenummer IXZ308N120
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL DE375
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 7.380
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXZ308N120 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZ308N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZ308N120, IXZ308N120 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 146,84 KB)
PDFIXZ308N120 Datenblatt Cover
IXZ308N120 Datenblatt Seite 2 IXZ308N120 Datenblatt Seite 3

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IXZ308N120 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz65MHz
Gewinn23dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)8A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung880W
Spannung - Nennspannung1200V
Paket / Fall6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketDE375

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Frequenz

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Gewinn

17dB

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50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

50W

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H-36265-2

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Frequenz

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Gewinn

19.9dB

Spannungstest

28V

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-

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Leistung - Leistung

58W

Spannung - Nennspannung

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

40.68MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

150V

Nennstrom (Ampere)

15A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

230W

Spannung - Nennspannung

450V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

PTFA072401FL-V5-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

725MHz ~ 770MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

240W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-34288-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

18mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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