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IXYP20N120C3

IXYP20N120C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYP20N120C3
PNEDA Teilenummer IXYP20N120C3
Beschreibung IGBT 1200V 40A 278W TO-220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.194
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IXYP20N120C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYP20N120C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYP20N120C3, IXYP20N120C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 221,72 KB)
PDFIXYA20N120C3HV Datenblatt Cover
IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 2 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 3 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 4 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 5 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 6

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IXYP20N120C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 20A
Leistung - max278W
Schaltenergie1.3mJ (on), 500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/90ns
Testbedingung600V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

IH

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

238W

Schaltenergie

190µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

114nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/210ns

Testbedingung

400V, 40A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IGU04N60TAKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

42W

Schaltenergie

61µJ (on), 84µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/164ns

Testbedingung

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

FGP3440G2-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26.9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.2V @ 4V, 6A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1µs/5.3µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

RGTH50TK65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

59W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/94ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IRG4PC40WPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

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Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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