IXYH50N65C3
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| Teilenummer | IXYH50N65C3 |
| PNEDA Teilenummer | IXYH50N65C3 |
| Beschreibung | IGBT 650V 130A 600W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYH50N65C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH50N65C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH50N65C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 130A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 36A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 1.3mJ (on), 370µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 80nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/80ns |
| Testbedingung | 400V, 36A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXYH) |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 32A Leistung - max 200W Schaltenergie 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/85ns Testbedingung 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 17A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A Leistung - max 45W Schaltenergie 270µJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/410ns Testbedingung 300V, 7A, 470Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 180µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/70ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
