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IXYH50N65C3

IXYH50N65C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH50N65C3
PNEDA Teilenummer IXYH50N65C3
Beschreibung IGBT 650V 130A 600W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.284
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXYH50N65C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH50N65C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH50N65C3, IXYH50N65C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 263,7 KB)
PDFIXYA50N65C3 Datenblatt Cover
IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 2 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 3 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 4 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 5 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 6

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IXYH50N65C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)130A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 36A
Leistung - max600W
Schaltenergie1.3mJ (on), 370µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/80ns
Testbedingung400V, 36A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

Leistung - max

284W

Schaltenergie

250µJ (on), 4.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/220ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

67ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RJH60M2DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

180µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/70ns

Testbedingung

300V, 12A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

SGR15N40LTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

FGD2736G3-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

4µs/15µs

Testbedingung

14V, 10A, 1000Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

7µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 17A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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TO-247-3

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