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IXXX100N60B3H1

IXXX100N60B3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXX100N60B3H1
PNEDA Teilenummer IXXX100N60B3H1
Beschreibung IGBT 600V 200A 695W TO247
Hersteller IXYS
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IXXX100N60B3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXX100N60B3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXX100N60B3H1, IXXX100N60B3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 239,13 KB)
PDFIXXX100N60B3H1 Datenblatt Cover
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IXXX100N60B3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)440A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 70A
Leistung - max695W
Schaltenergie1.9mJ (on), 2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge143nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/120ns
Testbedingung360V, 70A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

450µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/93ns

Testbedingung

960V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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STGB20NB41LZT4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

442V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

5mJ (on), 12.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1µs/12.1µs

Testbedingung

320V, 20A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.13mJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/115ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

270µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/68ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 8A

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54W

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Gate Charge

26.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/600ns

Testbedingung

800V, 8A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Paket / Fall

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