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IXXH80N65B4

IXXH80N65B4

Nur als Referenz

Teilenummer IXXH80N65B4
PNEDA Teilenummer IXXH80N65B4
Beschreibung IGBT 650V 160A 625W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.956
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXH80N65B4 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXH80N65B4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXH80N65B4, IXXH80N65B4 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 204,91 KB)
PDFIXXH80N65B4 Datenblatt Cover
IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 2 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 3 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 4 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 5 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 6

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IXXH80N65B4 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX4™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)430A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
Leistung - max625W
Schaltenergie3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.38ns/120ns
Testbedingung400V, 80A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXXH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

378W

Schaltenergie

1.79mJ (on), 670µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/134ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

118A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 60A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

3.2mJ (on), 830µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/133ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

305W

Schaltenergie

490µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/175ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

52ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

APT27GA90BD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

79A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 14A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

413µJ (on), 287µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/98ns

Testbedingung

600V, 14A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 90A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

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Gate Charge

172nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/150ns

Testbedingung

480V, 60A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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