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IXXH80N65B4

IXXH80N65B4

Nur als Referenz

Teilenummer IXXH80N65B4
PNEDA Teilenummer IXXH80N65B4
Beschreibung IGBT 650V 160A 625W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.956
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 14 - Apr 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXXH80N65B4 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXH80N65B4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXH80N65B4, IXXH80N65B4 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 204,91 KB)
PDFIXXH80N65B4 Datenblatt Cover
IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 2 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 3 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 4 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 5 IXXH80N65B4 Datenblatt Seite 6

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IXXH80N65B4 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX4™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)430A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
Leistung - max625W
Schaltenergie3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.38ns/120ns
Testbedingung400V, 80A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXXH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

NGTB30N120L2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

534W

Schaltenergie

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/285ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

450ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGH60N60SFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

378W

Schaltenergie

1.79mJ (on), 670µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/134ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGF7NB60SL

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4.5V, 7A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

4.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

16nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/5.2µs

Testbedingung

480V, 7A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

AUIRGS30B60KTRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

S6010RTP

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Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

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DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

0251007.NRT1L

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FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

FDD86540

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MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3

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LTC3676HUJ-1#TRPBF

LTC3676HUJ-1#TRPBF

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IC REG CONV I.MX6 7OUT 40QFN

SMDB3

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STMicroelectronics

DIAC 28-36V 1A SOT23-3

LTV-817S-TA1-D

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Lite-On Inc.

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

0451007.MRL

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

7A-8.000MBBK-T

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TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

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TVS DIODE 24V 40V SOT23

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

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IC FPGA 300 I/O 676FBGA