IXXH50N60B3D1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXXH50N60B3D1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXXH50N60B3D1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 120A 600W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 135 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXXH50N60B3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXH50N60B3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXXH50N60B3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 36A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 670µJ (on), 740µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 70nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/100ns |
| Testbedingung | 360V, 36A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXXH) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A Leistung - max 208.3W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/136ns Testbedingung 300V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A Leistung - max 483W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 85ns/222ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max 500W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.76V @ 15V, 120A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/176ns Testbedingung 196V, 25A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 29A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 2.4V, 2.5A Leistung - max 29W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/650ns Testbedingung 300V, 2.5A, 51Ohm, 4V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
