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IXTY24N15T

IXTY24N15T

Nur als Referenz

Teilenummer IXTY24N15T
PNEDA Teilenummer IXTY24N15T
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 24A TO-252
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.442
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IXTY24N15T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTY24N15T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IXTY24N15T Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

170V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

500nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

31000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

IRF8327STRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta), 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ SQ

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric SQ

IXTR62N15P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7650pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-HSOF-5-1

Paket / Fall

5-PowerSFN

SPB11N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

BAT54C

BAT54C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

ABM8-24.000MHZ-D2-T

ABM8-24.000MHZ-D2-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

LTC1564IG#TRPBF

LTC1564IG#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC FILTR 150KHZ ANTIALIAS 16SSOP

LTC3854EMSE#PBF

LTC3854EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 12MSOP

STM6601CM2DDM6F

STM6601CM2DDM6F

STMicroelectronics

IC SUPERVISOR 3.1V 12TDFN

NCP1055ST100T3G

NCP1055ST100T3G

ON Semiconductor

IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4

20CTQ045

20CTQ045

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

74VHC14MTC

74VHC14MTC

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

CPH3225A

CPH3225A

Seiko Instruments

CAP 11MF 3.3V SURFACE MOUNT

TCMT1100

TCMT1100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP

L6374FP

L6374FP

STMicroelectronics

IC LINE DRIVER QUAD IND 20-SOIC

NCP81071BDR2G

NCP81071BDR2G

ON Semiconductor

IC MOSFET DVR HS 5A DUAL 8SOIC