IXTX210P10T
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| Teilenummer | IXTX210P10T |
| PNEDA Teilenummer | IXTX210P10T |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.250 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTX210P10T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTX210P10T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTX210P10T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | TrenchP™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 210A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 105A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 740nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 69500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1040W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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