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IXTQ74N20P

IXTQ74N20P

Nur als Referenz

Teilenummer IXTQ74N20P
PNEDA Teilenummer IXTQ74N20P
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.946
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IXTQ74N20P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTQ74N20P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTQ74N20P, IXTQ74N20P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 170,06 KB)
PDFIXTT74N20P Datenblatt Cover
IXTT74N20P Datenblatt Seite 2 IXTT74N20P Datenblatt Seite 3 IXTT74N20P Datenblatt Seite 4 IXTT74N20P Datenblatt Seite 5

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IXTQ74N20P Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolarHT™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.74A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3300pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)480W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HVSON (6x5)

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

NTMFS5C442NLTT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta), 130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

STB19NM65N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 7.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMP2305UVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

727pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RSH110N03TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.7mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

7914J-1-032

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Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V

BNX026H01L

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Murata

FILTER LC 10UF SMD

ADM1184ARMZ-REEL7

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Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

XC7Z045-2FFG676I

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Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 800MHZ 676FCBGA

EVQ-P7C01P

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Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

SII1161CTU

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Lattice Semiconductor Corporation

UXGA PANELLINK RECEIVER

FP25R12KE3BOSA1

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Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 25A

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

ADUM1400BRW

ADUM1400BRW

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

TDA10H0SB1

TDA10H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC