IXTQ60N20L2
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Teilenummer | IXTQ60N20L2 |
PNEDA Teilenummer | IXTQ60N20L2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.082 |
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IXTQ60N20L2 Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTQ60N20L2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXTQ60N20L2 Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | Linear L2™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 540W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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