IXTQ50N25T
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXTQ50N25T |
| PNEDA Teilenummer | IXTQ50N25T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.634 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IXTQ50N25T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IXTQ50N25T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IXTQ50N25T Datasheet
- where to find IXTQ50N25T
- IXYS
- IXYS IXTQ50N25T
- IXTQ50N25T PDF Datasheet
- IXTQ50N25T Stock
- IXTQ50N25T Pinout
- Datasheet IXTQ50N25T
- IXTQ50N25T Supplier
- IXYS Distributor
- IXTQ50N25T Price
- IXTQ50N25T Distributor
IXTQ50N25T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 400W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 600mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 8V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 290mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323) Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ M2-EP FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 378mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSVII FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220SIS Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7050pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
