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IXTQ470P2

IXTQ470P2

Nur als Referenz

Teilenummer IXTQ470P2
PNEDA Teilenummer IXTQ470P2
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
Hersteller IXYS
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IXTQ470P2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTQ470P2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTQ470P2, IXTQ470P2 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 89,51 KB)
PDFIXTQ470P2 Datenblatt Cover
IXTQ470P2 Datenblatt Seite 2

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IXTQ470P2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolarP2™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)830W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

STE88N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

88A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

204nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8825pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

494W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP

Paket / Fall

SOT-227-4

RSJ800N06TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI7380ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7785pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Serie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 16A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

212nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17179pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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