IXTP8N65X2M
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Teilenummer | IXTP8N65X2M |
PNEDA Teilenummer | IXTP8N65X2M |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.682 |
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IXTP8N65X2M Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTP8N65X2M |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTP8N65X2M Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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