Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTN90P20P

IXTN90P20P

Nur als Referenz

Teilenummer IXTN90P20P
PNEDA Teilenummer IXTN90P20P
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.770
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTN90P20P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTN90P20P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTN90P20P, IXTN90P20P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 121,2 KB)
PDFIXTN90P20P Datenblatt Cover
IXTN90P20P Datenblatt Seite 2 IXTN90P20P Datenblatt Seite 3 IXTN90P20P Datenblatt Seite 4 IXTN90P20P Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTN90P20P Datasheet
  • where to find IXTN90P20P
  • IXYS

  • IXYS IXTN90P20P
  • IXTN90P20P PDF Datasheet
  • IXTN90P20P Stock

  • IXTN90P20P Pinout
  • Datasheet IXTN90P20P
  • IXTN90P20P Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTN90P20P Price
  • IXTN90P20P Distributor

IXTN90P20P Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolarP™
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs44mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs205nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)890W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227B
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPB019N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 196µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

166nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQM50P04-09L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6045pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPP50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRFR3706

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFU3704

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1996pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

LT8640EUDC#TRPBF

LT8640EUDC#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 20QFN

MC68HC711E9CFN2

MC68HC711E9CFN2

NXP

IC MCU 8BIT 12KB OTP 52PLCC

ACS712ELCTR-05B-T

ACS712ELCTR-05B-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC

MTFC4GLVEA-0M WT

MTFC4GLVEA-0M WT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 32G MMC 153WFBGA

NFA31GD1014704D

NFA31GD1014704D

Murata

FILTER RC 47 OHM/100PF SMD

BA05CC0FP-E2

BA05CC0FP-E2

Rohm Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A TO252-3

MAX232EWE

MAX232EWE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312

SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

BLM18SG121TN1D

BLM18SG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

ADP1864AUJZ-R7

ADP1864AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK TSOT23-6