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IXTN79N20

IXTN79N20

Nur als Referenz

Teilenummer IXTN79N20
PNEDA Teilenummer IXTN79N20
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.354
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXTN79N20 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTN79N20
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IXTN79N20 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)400W (Tc)
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227B
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQNL1N50BTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

270mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9Ohm @ 135mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

TSM650P03CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

85V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

560W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

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DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

74mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

270W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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