IXTM40N30
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Teilenummer | IXTM40N30 |
PNEDA Teilenummer | IXTM40N30 |
Beschreibung | POWER MOSFET TO-3 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.200 |
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IXTM40N30 Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTM40N30 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXTM40N30 Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | GigaMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-204AE |
Paket / Fall | TO-204AE |
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