Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTH48N20T

IXTH48N20T

Nur als Referenz

Teilenummer IXTH48N20T
PNEDA Teilenummer IXTH48N20T
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTH48N20T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTH48N20T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTH48N20T Datasheet
  • where to find IXTH48N20T
  • IXYS

  • IXYS IXTH48N20T
  • IXTH48N20T PDF Datasheet
  • IXTH48N20T Stock

  • IXTH48N20T Pinout
  • Datasheet IXTH48N20T
  • IXTH48N20T Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTH48N20T Price
  • IXTH48N20T Distributor

IXTH48N20T Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)275W (Tc)
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247 (IXTH)
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOT440

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.5A (Ta), 105A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

STFI6N62K3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

620V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

875pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAKFP (TO-281)

Paket / Fall

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

CSD25201W15

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

-6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

9-DSBGA

Paket / Fall

9-UFBGA, DSBGA

FQAF22P10

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

DMP2022LSSQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2575pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

GP10J-E3/54

GP10J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

AD822AN

AD822AN

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

BTA10-700BRG

BTA10-700BRG

STMicroelectronics

TRIAC 700V 10A TO220AB

MF-USMF050-2

MF-USMF050-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 500MA 1210

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

SMD050-2

SMD050-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2SMD

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

DG4157DL-T1-E3

DG4157DL-T1-E3

Vishay Siliconix

IC SWITCH SGL SPDT LV SC70-6

0217.500MXP

0217.500MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM

7447709680

7447709680

Wurth Electronics

FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD

HX5008NLT

HX5008NLT

Pulse Electronics Network

TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT

EA DOGS102B-6

EA DOGS102B-6

Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE