IXTD3N60P-2J
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| Teilenummer | IXTD3N60P-2J |
| PNEDA Teilenummer | IXTD3N60P-2J |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.100 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTD3N60P-2J Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTD3N60P-2J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTD3N60P-2J Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | PolarHV™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 411pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 70W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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