IXTA48N20T
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXTA48N20T |
| PNEDA Teilenummer | IXTA48N20T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.038 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTA48N20T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTA48N20T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTA48N20T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | Trench™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 48A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3090pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXTA) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 281mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 44pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 155mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Paket / Fall SC-101, SOT-883 |
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