IXTA2N80P
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Teilenummer | IXTA2N80P |
PNEDA Teilenummer | IXTA2N80P |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 |
Hersteller | IXYS |
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IXTA2N80P Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTA2N80P |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXTA2N80P Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | PolarHV™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 70W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXTA) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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