IXTA26P10T
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| Teilenummer | IXTA26P10T |
| PNEDA Teilenummer | IXTA26P10T |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.678 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXTA26P10T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTA26P10T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTA26P10T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | TrenchP™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 26A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3820pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXTA) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
