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IXTA24N65X2

IXTA24N65X2

Nur als Referenz

Teilenummer IXTA24N65X2
PNEDA Teilenummer IXTA24N65X2
Beschreibung MOSFET N-CH
Hersteller IXYS
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IXTA24N65X2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTA24N65X2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IXTA24N65X2 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)390W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263AA
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2656pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

BSB019N03LX G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Ta), 174A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paket / Fall

3-WDSON

TK34A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FDMS7656AS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Ta), 49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8705pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

BSO303SPHXUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2330pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-8

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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