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IXSX50N60BU1

IXSX50N60BU1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSX50N60BU1
PNEDA Teilenummer IXSX50N60BU1
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.190
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IXSX50N60BU1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSX50N60BU1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSX50N60BU1, IXSX50N60BU1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 143,96 KB)
PDFIXSX50N60BU1 Datenblatt Cover
IXSX50N60BU1 Datenblatt Seite 2 IXSX50N60BU1 Datenblatt Seite 3 IXSX50N60BU1 Datenblatt Seite 4 IXSX50N60BU1 Datenblatt Seite 5 IXSX50N60BU1 Datenblatt Seite 6

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IXSX50N60BU1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
Leistung - max300W
Schaltenergie3.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge167nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.70ns/150ns
Testbedingung480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

94W

Schaltenergie

132µJ (on), 62µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.8ns/81.6ns

Testbedingung

400V, 10A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

274ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3PF-3

NGTD21T65F2WP

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 45A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

64µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/259ns

Testbedingung

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

STGW30NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

350µJ (on), 435µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/120ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 18A

Leistung - max

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Schaltenergie

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Betriebstemperatur

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