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IXSX50N60AU1

IXSX50N60AU1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSX50N60AU1
PNEDA Teilenummer IXSX50N60AU1
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.232
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IXSX50N60AU1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSX50N60AU1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSX50N60AU1, IXSX50N60AU1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 138,66 KB)
PDFIXSX50N60AU1 Datenblatt Cover
IXSX50N60AU1 Datenblatt Seite 2 IXSX50N60AU1 Datenblatt Seite 3 IXSX50N60AU1 Datenblatt Seite 4 IXSX50N60AU1 Datenblatt Seite 5

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IXSX50N60AU1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 50A
Leistung - max300W
Schaltenergie6mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge190nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.70ns/200ns
Testbedingung480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/122ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/150ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

340W

Schaltenergie

940µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/152ns

Testbedingung

600V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXRR40N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

465µJ (on), 635µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/85ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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-

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