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IXSR50N60BU1

IXSR50N60BU1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSR50N60BU1
PNEDA Teilenummer IXSR50N60BU1
Beschreibung IGBT 600V ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXSR50N60BU1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSR50N60BU1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXSR50N60BU1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/130ns

Testbedingung

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

AIKQ100N60CTXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

714W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

610nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/290ns

Testbedingung

400V, 100A, 3.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

APT64GA90B2D30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1192µJ (on), 1088µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/131ns

Testbedingung

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

APT102GA60L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

183A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

307A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

294nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/212ns

Testbedingung

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

IHW40N60RFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 40A

Leistung - max

305W

Schaltenergie

750µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

223nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/193ns

Testbedingung

400V, 40A, 5.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

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NAND256W3A2BN6E

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