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IXSK35N120BD1

IXSK35N120BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSK35N120BD1
PNEDA Teilenummer IXSK35N120BD1
Beschreibung IGBT 1200V 70A 300W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.532
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IXSK35N120BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSK35N120BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSK35N120BD1, IXSK35N120BD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 118,52 KB)
PDFIXSX35N120BD1 Datenblatt Cover
IXSX35N120BD1 Datenblatt Seite 2

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IXSK35N120BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 35A
Leistung - max300W
Schaltenergie5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.36ns/160ns
Testbedingung960V, 35A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264AA(IXSK)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

99A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

8.8mJ (on), 9.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

380nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/250ns

Testbedingung

960V, 70A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

490µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

1018nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/156ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

AOT20B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 20A

Leistung - max

227W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

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