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IXSK30N60BD1

IXSK30N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSK30N60BD1
PNEDA Teilenummer IXSK30N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 55A 200W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.694
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IXSK30N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSK30N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSK30N60BD1, IXSK30N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 119,01 KB)
PDFIXSK30N60BD1 Datenblatt Cover
IXSK30N60BD1 Datenblatt Seite 2 IXSK30N60BD1 Datenblatt Seite 3 IXSK30N60BD1 Datenblatt Seite 4 IXSK30N60BD1 Datenblatt Seite 5

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IXSK30N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 55A
Leistung - max200W
Schaltenergie1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/150ns
Testbedingung480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264AA(IXSK)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

214W

Schaltenergie

915µJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/75ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

176ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

APT15GN120KG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

195W

Schaltenergie

410µJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/150ns

Testbedingung

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220 [K]

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 110A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

183nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/156ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

HGTG20N60A4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

105µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/73ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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