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IXGT32N170-TRL

IXGT32N170-TRL

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT32N170-TRL
PNEDA Teilenummer IXGT32N170-TRL
Beschreibung IGBT 1700V 75A 350W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.892
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IXGT32N170-TRL Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT32N170-TRL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT32N170-TRL, IXGT32N170-TRL Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 577,03 KB)
PDFIXGT32N170 Datenblatt Cover
IXGT32N170 Datenblatt Seite 2 IXGT32N170 Datenblatt Seite 3 IXGT32N170 Datenblatt Seite 4 IXGT32N170 Datenblatt Seite 5

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IXGT32N170-TRL Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 32A
Leistung - max350W
Schaltenergie11mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/270ns
Testbedingung1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 45A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IKZ50N65NH5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

350µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/252ns

Testbedingung

400V, 25A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

FGA15N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

186W

Schaltenergie

3mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

330ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRGB6B60KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

SGP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Leistung - max

92W

Schaltenergie

320µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/178ns

Testbedingung

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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