Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGP50N33TBM-A

IXGP50N33TBM-A

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP50N33TBM-A
PNEDA Teilenummer IXGP50N33TBM-A
Beschreibung IGBT 330V 30A 50W TO220AB
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.624
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGP50N33TBM-A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP50N33TBM-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP50N33TBM-A, IXGP50N33TBM-A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 148,2 KB)
PDFIXGP50N33TBM-A Datenblatt Cover
IXGP50N33TBM-A Datenblatt Seite 2 IXGP50N33TBM-A Datenblatt Seite 3 IXGP50N33TBM-A Datenblatt Seite 4 IXGP50N33TBM-A Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGP50N33TBM-A Datasheet
  • where to find IXGP50N33TBM-A
  • IXYS

  • IXYS IXGP50N33TBM-A
  • IXGP50N33TBM-A PDF Datasheet
  • IXGP50N33TBM-A Stock

  • IXGP50N33TBM-A Pinout
  • Datasheet IXGP50N33TBM-A
  • IXGP50N33TBM-A Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGP50N33TBM-A Price
  • IXGP50N33TBM-A Distributor

IXGP50N33TBM-A Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)330V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 25A
Leistung - max50W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge42nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 16A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/116ns

Testbedingung

480V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IXGH16N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 16A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

9.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/400ns

Testbedingung

1360V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGP14NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

82µJ (on), 155µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22.5ns/116ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4PH40UD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

82A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 21A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 1.93mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/97ns

Testbedingung

800V, 21A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

63ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

AOT20B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 20A

Leistung - max

227W

Schaltenergie

470µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/122ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

322ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Kürzlich verkauft

BK0603HS330-T

BK0603HS330-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 33 OHM 0201 1LN

TDA04H0SB1R

TDA04H0SB1R

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

ARF445

ARF445

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

AT91SAM9263B-CU

AT91SAM9263B-CU

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 128KB ROM 324TFBGA

XC7A200T-2FBG484I

XC7A200T-2FBG484I

Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FCBGA

MC14040BDR2G

MC14040BDR2G

ON Semiconductor

IC COUNTER 12BIT CMOS 16SOIC

AS4C256M16D3B-12BIN

AS4C256M16D3B-12BIN

Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

23LC1024-I/SN

23LC1024-I/SN

Microchip Technology

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

MAX6817EUT+T

MAX6817EUT+T

Maxim Integrated

IC DEBOUNCER SWITCH DUAL SOT23-6

IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

ADM1021ARQ

ADM1021ARQ

ON Semiconductor

IC SENSOR TEMP DUAL3/5.5V 16QSOP