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IXGH72N60A3

IXGH72N60A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH72N60A3
PNEDA Teilenummer IXGH72N60A3
Beschreibung IGBT 600V 75A 540W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.024
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IXGH72N60A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH72N60A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH72N60A3, IXGH72N60A3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 200,94 KB)
PDFIXGT72N60A3 Datenblatt Cover
IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 2 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 3 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 4 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 5 IXGT72N60A3 Datenblatt Seite 6

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IXGH72N60A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 60A
Leistung - max540W
Schaltenergie1.38mJ (on), 3.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge230nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/320ns
Testbedingung480V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

4µs/15µs

Testbedingung

14V, 10A, 1000Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

7µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

NGTG50N60FWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

117ns/285ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

190A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

IRG7PH50K10D-EPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

300nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/340ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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TO-247-3

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