IXGH6N170A
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Teilenummer | IXGH6N170A |
PNEDA Teilenummer | IXGH6N170A |
Beschreibung | IGBT 1700V 6A 75W TO247AD |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.436 |
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IXGH6N170A Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXGH6N170A |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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IXGH6N170A Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | - |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 14A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 7V @ 15V, 3A |
Leistung - max | 75W |
Schaltenergie | 590µJ (on), 180µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 18.5nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 46ns/220ns |
Testbedingung | 850V, 6A, 33Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max 595W Schaltenergie 1.5mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 110ns/270ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |