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IXGH60N30C3

IXGH60N30C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH60N30C3
PNEDA Teilenummer IXGH60N30C3
Beschreibung IGBT 300V 75A 300W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.830
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IXGH60N30C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH60N30C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH60N30C3, IXGH60N30C3 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 42,01 KB)
PDFIXGH60N30C3 Datenblatt Cover
IXGH60N30C3 Datenblatt Seite 2

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IXGH60N30C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)420A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 60A
Leistung - max300W
Schaltenergie150µJ (on), 300µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge101nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/108ns
Testbedingung200V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CooliRIGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 28A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 3.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/190ns

Testbedingung

960V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

IXGT2N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

13.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 2A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

10.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGP4066PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

FGA6065ADF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

306W

Schaltenergie

2.46mJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25.6ns/71ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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