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IXGH15N120CD1

IXGH15N120CD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH15N120CD1
PNEDA Teilenummer IXGH15N120CD1
Beschreibung IGBT 1200V 30A 150W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.718
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IXGH15N120CD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH15N120CD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH15N120CD1, IXGH15N120CD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 120,82 KB)
PDFIXGH15N120BD1 Datenblatt Cover
IXGH15N120BD1 Datenblatt Seite 2

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IXGH15N120CD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 15A
Leistung - max150W
Schaltenergie1.05mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge69nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/150ns
Testbedingung960V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

2.15mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

281ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

IRG4BC30S-STRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/240ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

340ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

HGTP7N60B3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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