IXFX180N085
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| Teilenummer | IXFX180N085 |
| PNEDA Teilenummer | IXFX180N085 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.100 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFX180N085 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFX180N085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFX180N085 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 560W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 560W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
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