IXFT150N20T
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Teilenummer | IXFT150N20T |
PNEDA Teilenummer | IXFT150N20T |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.086 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFT150N20T Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXFT150N20T |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXFT150N20T Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | HiPerFET™, TrenchT2™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 150A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 890W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-268 |
Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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